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ETP-2-HBM/MM靜電測(cè)試平臺(tái)產(chǎn)品概述：ETP-2_HBM/MM靜電測(cè)試平臺(tái)是針對(duì)人體模型（HBM）和機(jī)械模型（MM）的靜電放電抗擾度試驗(yàn)的特點(diǎn)和要求而專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)。與EMS61000-2系列靜電放電發(fā)生器配合使用，可以對(duì)LED、晶體管、IC等半導(dǎo)體器件進(jìn)行靜電抗擾度的測(cè)試。
更新時(shí)間：2018-08-15
ETP-2-HBM/MM靜電測(cè)試平臺(tái)
ETP-2_HBM/MM靜電測(cè)試平臺(tái)是針對(duì)人體模型(HBM)和機(jī)械模型(MM)的靜電放電抗擾度試驗(yàn)的特點(diǎn)和要求而專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)。與EMS61000-2系列靜電放電發(fā)生器配合使用，可以對(duì)LED、晶體管、IC等半導(dǎo)體器件進(jìn)行靜電抗擾度的測(cè)試。
產(chǎn)品說(shuō)明
ETP-2_HBM/MM靜電測(cè)試平臺(tái)是針對(duì)人體模型(HBM)和機(jī)械模型(MM)的靜電放電抗擾度試驗(yàn)的特點(diǎn)和要求而專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)，分HBM靜電測(cè)試平臺(tái)和MM靜電測(cè)試平臺(tái)。與EMS61000-2系列靜電放電發(fā)生器配合使用，特別適用于如LED、晶體管、IC等半導(dǎo)體器件的測(cè)試。
ETP-2_HBM/MM靜電測(cè)試平臺(tái)技術(shù)參數(shù)：
型號(hào) | ETP-2_HBM | ETP-2_MM |
放電網(wǎng)絡(luò) | 100pF /1500Ω | 200pF/0Ω |
最大輸出電壓 | 8kV（20kV選配） | 800V（4kV選配） |
放電次數(shù) | 1～9999 | |
輸出極性 | 正 / 負(fù) | |
放電方式 | 手動(dòng) / 自動(dòng) | |
